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半導(dǎo)體PCT試驗(yàn)機(jī)配電圖

更新時(shí)間:2024-07-02

半導(dǎo)體PCT試驗(yàn)機(jī)配電圖熊s試驗(yàn)過程的溫度、濕度、壓力,是真正讀取相關(guān)傳感器的讀值來顯示的,而不是通過溫濕度的飽和蒸汽壓表計(jì)算出來的,能夠真正掌握實(shí)際的試驗(yàn)過程。

半導(dǎo)體PCT試驗(yàn)機(jī)配電圖熊s針對JESD22-A102的試驗(yàn)說明:

用來評(píng)價(jià)非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性。樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中,以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi),出封裝中的弱點(diǎn),如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗(yàn)用來評(píng)價(jià)新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計(jì)的更新。 應(yīng)該注意,在該試驗(yàn)中會(huì)出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會(huì)降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式。

外引腳錫短路:封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應(yīng),會(huì)造成離子遷移不正常生長,而導(dǎo)致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象。 濕氣造成封裝體內(nèi)部腐蝕:濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷,將外部的離子污染帶到芯片表面,在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如:護(hù)層針孔、裂傷、被覆不良處、、等,進(jìn)入半導(dǎo)體原件里面,造成腐蝕以及漏電流、、等問題,如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

標(biāo)注價(jià)格并不是成Jiāo價(jià)格,歡迎詢價(jià)。

<strong><strong><strong>半導(dǎo)體PCT試驗(yàn)機(jī)配電圖</strong></strong></strong>

半導(dǎo)體PCT試驗(yàn)機(jī)配電圖技術(shù)優(yōu)勢:

1.高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)Du家采用全自動(dòng)補(bǔ)充水位之功能,試驗(yàn)*中斷、  

2.試驗(yàn)過程的溫度、濕度、壓力,是真正讀取相關(guān)傳感器的讀值來顯示的,而不是通過溫濕度的飽和蒸汽壓表計(jì)算出來的,能夠真正掌握實(shí)際的試驗(yàn)過程。  

3.干燥設(shè)計(jì),試驗(yàn)終止采用電熱干燥設(shè)計(jì)確保測試區(qū)(待測品)的干燥,確保穩(wěn)定性。  

4.精準(zhǔn)的壓力/溫度對照顯示,*符合溫濕度壓力對照表要求。 

艾思荔的主營產(chǎn)品有:高壓加速老化試驗(yàn)機(jī),HAST高度加速壽命試驗(yàn)機(jī),可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱、高低溫?zé)釢裨囼?yàn)箱、步入式恒溫恒濕試驗(yàn)室、高低溫試驗(yàn)箱、快速溫變高低溫試驗(yàn)機(jī)、冷熱沖擊試驗(yàn)箱沖擊箱、鹽霧試驗(yàn)機(jī)、鹽干濕復(fù)合鹽霧試驗(yàn)機(jī)、老化試驗(yàn)箱、高溫干燥箱、高溫烤箱、UV紫外線耐氣候試驗(yàn)機(jī)、真空烤箱等可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備以及制程設(shè)備,有數(shù)十個(gè)系列近百種產(chǎn)品。

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